凭借获得专利的缓冲JBS结构和先进的衬底减薄技术，上海飞锃半导体 提供了具有高效能性能的超小尺寸芯片。 新芯片可将变压器和散热器的尺寸减小30％。飞锃半导体的碳化硅二极管产品系列丰富，与国际领先竞品高度兼容，并且搭配行业先进的封装，如TO220、TO247-2、TO247-3、TO252、TO263、DFN等。
飞锃半导体自主研发的碳化硅MOSFET 具备高开关频率，低导通电阻，优良高温特性，与耐高压等优势，有着替代现有IGBT和超结MOSFET的巨大潜力。其应用在更高频率的电源设计里，能够缩小系统储能器件的体积，例如大电感，大变压器及大容量电容等，从而降低系统成本。飞锃半导体推出的第二代平面结构MOSFET促进了光伏风电，新能源汽车车，不间断电源，服务器电源等应用往高效与高可性靠发展的趋势。
上海贝岭公司的IGBT产品，涵盖了平面高鲁棒特性系列， 基于沟槽场截止型（Trench Field Stop）技术的高效系列，结合了超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer Process）以及局部寿命控制等技术，显著改善了动静态性能折中，大幅提高了器件的功率密度，使器件可耐工作温度更高，转换效率更大，使用寿命更长。
